6月14日，從國務院國資委舉辦“2018年中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽”頒獎大會獲悉，西安立芯光電公司創(chuàng)新項目“高功率Ⅲ-Ⅴ族激光器芯片關鍵技術突破”榮獲2018年中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽一等獎。
 

    中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽由國資委主辦，發(fā)展改革委、教育部、科技部、工業(yè)和信息化部、財政部、國家知識產(chǎn)權局支持、中國科協(xié)支持，中國電科承辦，航天科技、航天科工等12家企業(yè)協(xié)辦。 2018年11月，根據(jù)《2018中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽方案》和大賽辦公室有關要求，經(jīng)過七個多月的精心準備，西安立芯光電公司選送的“高功率Ⅲ-Ⅴ族激光器芯片關鍵技術突破”從申報的2658個參賽項目中脫穎而出，成為代表陜西省國資委參賽項目之一，成功入圍2018中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽復賽。復賽中，項目得到了大賽評委的高度肯定。2019年6月6日，國務院國資委辦公廳印發(fā)了《關于2018中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽獲獎名單的通報》，西安立芯光電公司榮獲大賽一等獎。
 

     “高功率Ⅲ-Ⅴ族激光器芯片關鍵技術突破”項目主要通過對高功率Ⅲ-Ⅴ族激光器芯片關鍵技術的研究，涉及波長從635nm-1310nm的砷化鎵激光器芯片，其中包括多模、單模的巴條和單管。單管的功率從3W到20W，巴條的功率從40W到300W。應用范圍包括高功率激光加工芯片和光通信芯片。通過該項目研究獲得高功率激光器芯片產(chǎn)業(yè)化的核心技術，解決瓶頸問題，推進產(chǎn)業(yè)化進程，進一步形成完整的激光產(chǎn)業(yè)鏈，促進中國半導體光電技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
 

    作為陜投集團系統(tǒng)內的第一家國家高新企業(yè)，西安立芯光電科技公司始終以“成為領跑中國的高功率激光器芯片研發(fā)制造企業(yè)”為發(fā)展愿景，堅定不移推進高功率半導體激光芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，經(jīng)過近幾年的發(fā)展，公司已經(jīng)初步具備了領先的技術優(yōu)勢、豐富的產(chǎn)品優(yōu)勢、高端的研發(fā)平臺優(yōu)勢和靈活的機制優(yōu)勢。
 

    熠星大賽獲獎，彰顯了國家對關鍵技術研發(fā)的重視，也彰顯了國家對西安立芯光電科技公司科技研發(fā)實力的認可。為了能將關鍵技術掌握在自己手里，西安立芯光電科技公司將繼續(xù)堅定科研信念，扎實做好基礎研究，持續(xù)提升科技創(chuàng)新能力，積極實施擴產(chǎn)項目，加快規(guī)模化發(fā)展步伐，努力構建激光產(chǎn)業(yè)板塊，為我國激光芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出更大貢獻。

背景資料

2018年熠星大賽介紹：大賽為認真貫徹黨中央、國務院關于加快實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略的重要部署，貫徹落實李克強總理打造“雙創(chuàng)”升級版、全面推動中央企業(yè)“雙創(chuàng)”工作的系列重要指示精神，在總結2016中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽基礎上，啟動的2018中央企業(yè)熠星創(chuàng)新創(chuàng)意大賽。自啟動以來，大賽得到有關部門、地方政府、社會各界的廣泛關注和支持，大賽在社會上產(chǎn)生良好影響，成為中央企業(yè)重要的雙創(chuàng)平臺。